IRF3205PBF中文资料_PDF数据手册_参数_引脚图

元器件商城 >

IRF3205PBF

厂商名称：英飞凌

元件分类：MOS管

中文描述：

英飞凌,MOSFET,HEXFET系列,N沟道,Si,Vds=55 V,110 A,3引脚TO-220AB封装

英文描述：

Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB Tube

数据手册：

在线购买：立即购买

IRF3205PBF概述

IRF3205PBF是一款HEXFET®N沟道功率MOSFET,具有极低的导通电阻和快速开关性能.International rectifier的HEXFET®功率MOSFET采用先进的处理技术,以实现极低的导通电阻.这一特点加上HEXFET功率MOSFET的快速开关速度,以及坚固耐用的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效和可靠的器件,可用于多种应用.

动态dv/dt额定值

雪崩级别

快速开关

±20V栅-源电压

应用

电源管理

IRF3205PBF中文参数

通道类型	N	晶体管配置	单
最大连续漏极电流	110 A	最大栅源电压	-20 V、+20 V
最大漏源电压	55 V	每片芯片元件数目	1
封装类型	TO-220AB	高度	8.77mm
安装类型	通孔	宽度	4.69mm
引脚数目	3	晶体管材料	Si
最大漏源电阻值	8 mΩ	最高工作温度	+175 °C
通道模式	增强	长度	10.54mm
最大栅阈值电压	4V	系列	HEXFET
最小栅阈值电压	2V	典型栅极电荷@Vgs	146 nC @ 10 V
最大功率耗散	200 W	最低工作温度	-55 °C